快科技 8 月 10 日消息，SK 海力士董事会近日批准了约 54.3 万亿韩元（约 2590 亿元人民币）的新工厂建设计划配资投资工具，用于京畿道龙仁 Y2 和清州 M17 两座晶圆厂。
其中 Y2 为 DRAM 基地，投资 35.2 万亿韩元（约 1679 亿元人民币），M17 为 NAND 基地，投资 19.1 万亿韩元（约 911 亿元人民币）。
以上金额仅覆盖厂房建设，Y2 的设备投资后续可能高达 120 万亿韩元（约 5724 亿元人民币），总投入将突破 150 万亿韩元（约 7155 亿元人民币）。
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对于近期关注过内存价格的消费者来说，这么大笔的投入很容易产生"产能够用，内存涨价快到头了"的错觉，但答案并非如此。
M17 首批无尘室计划 2028 年 12 月启用，Y2 甚至到 2027 年 7 月才破土动工，首批无尘室要到 2029 年 6 月才启用。无且尘室启用仅意味着开始设备安装和验证，并非开始出货。
SK 海力士在公告中还有一句话：公司将按总体规划建设厂房，但无尘室扩建和设备安装将根据需求趋势分阶段推进，以最大化资本效率。换言之，厂房先盖，但金额远更大的设备投入要等需求确认后才跟进。
产品结构同样对普通消费者不利，Y2 将生产 HBM 等下一代 DRAM，而 HBM 的产能挤占正是 DDR5 被赶出晶圆厂的根本原因。SK 海力士目前约 30% 的 DRAM 晶圆产能用于 HBM，分析师预计这一比例到 2027 年将接近 40%。
SK 海力士自身也将此轮投资称为结构性转型而非临时性超级周期，并引用 Omdia 的预测数据称 DRAM 和 NAND 到 2030 年将保持年均 19% 的增长。
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